JANTX2N7370

更新时间： 2024-02-16 15:53:57

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率双极晶体管局域网高功率电源
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2页	56K
描述
NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

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JANTX2N7370 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-254AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.26	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	12 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	150	JEDEC-95代码：	TO-254AA
JESD-30 代码：	S-MSFM-P3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500/624B
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

JANTX2N7370 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 624

Devices

Qualified Level

JAN

2N7370

JANTX

JANTXV

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Base Current

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_B

Value

100

5.0

Units

Vdc

Adc

0.2

Collector Current

Total Power Dissipation @ T_C= +25⁰C ⁽¹⁾

I_C

100

P_T

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +175

⁰C

T_J_,T

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

TO-254*

Symbol

Max.

Unit

⁰C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

1) Derate linearly 0.667 W/⁰C above T_C> +25⁰C

1.5

qJC

*See Appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 100 mAdc

100

Vdc

V_{CEO sus}

(

)

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 50 Vdc

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 100 Vdc, V_BE= 1.5 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 5.0 Vdc

1.0

0.5

2.0

mAdc

I_CEO

I_CEX

I_EBO

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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