JANTX2N7370

更新时间： 2024-11-24 22:21:59

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率双极晶体管局域网高功率电源
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2页	56K
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NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

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JANTX2N7370 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-254AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.26	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	12 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	150	JEDEC-95代码：	TO-254AA
JESD-30 代码：	S-MSFM-P3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500/624B
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

JANTX2N7370 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 624

Devices

Qualified Level

JAN

2N7370

JANTX

JANTXV

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Base Current

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_B

Value

100

5.0

Units

Vdc

Adc

0.2

Collector Current

Total Power Dissipation @ T_C= +25⁰C ⁽¹⁾

I_C

100

P_T

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +175

⁰C

T_J_,T

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

TO-254*

Symbol

Max.

Unit

⁰C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

1) Derate linearly 0.667 W/⁰C above T_C> +25⁰C

1.5

qJC

*See Appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 100 mAdc

100

Vdc

V_{CEO sus}

(

)

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 50 Vdc

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 100 Vdc, V_BE= 1.5 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 5.0 Vdc

1.0

0.5

2.0

mAdc

I_CEO

I_CEX

I_EBO

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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JANTX2N7370 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTXV2N7370	MICROSEMI	完全替代	NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N7370	MICROSEMI	完全替代	NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
2N7370	MICROSEMI	类似代替	NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

与JANTX2N7370相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTX2N7371	MICROSEMI	获取价格	PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N7372	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-254AA
JANTX2N7373	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-254AA
JANTX2N7434	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
JANTX2N918	MOTOROLA	获取价格	VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-206AF
JANTX2N918	MICROSEMI	获取价格	NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N918UB	MICROSEMI	获取价格	NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N930	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 45V V(BR)CEO \| 30MA I(C) \| TO-18
JANTX2N930UB	ETC	获取价格	BJT
JANTX3890AR	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 100V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN

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