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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> JANTX2N918
JANTX2N918 PDF预览

JANTX2N918

更新时间： 2024-11-25 12:29:03
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 186K
描述
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

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JANTX2N918 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-72
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W4针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.19
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.05 A
基于收集器的最大容量：3 pF集电极-发射极最大电压：15 V
配置：SINGLE最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码：TO-72JESD-30 代码：O-MBCY-W4
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：200 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Qualified参考标准：MIL-19500/301H
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

JANTX2N918 数据手册

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TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http://www.microsemi.com  
Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland  
Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298  
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/301  
DEVICES  
LEVELS  
JAN  
2N918  
2N918UB  
JANTX  
JANTXV  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
Collector-Emitter Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
15  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
mAdc  
mW  
°C  
Collector-Base Voltage  
30  
3.0  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Total Power Dissipation @ TA = +25°C (1)  
50  
PT  
200  
Operating & Storage Junction Temperature Range  
Top & Tstg  
-65 to +200  
TO-72  
2N918  
Note: 1) Derate linearly 1.14mW/°C above TA > 25°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
OFF CHARACTERTICS  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 3mAdc  
V(BR)CEO  
15  
Vdc  
Collector-Base Cutoff Current  
VCB = 30Vdc  
µAdc  
ηAdc  
µAdc  
1.0  
10  
1.0  
ICBO  
V
V
CB = 25Vdc  
CB = 25Vdc; TA = +150°C  
3 PIN  
2N918UB  
Emitter-Base Cutoff Current  
VEB = 3.0Vdc  
VEB = 2.5Vdc  
µAdc  
ηAdc  
IEBO  
10  
10  
Forward-Current Transfer Ratio  
IC = 0.5mAdc, VCE = 10Vdc  
10  
20  
20  
10  
IC = 3.0mAdc, VCE = 1.0Vdc  
IC = 10mAdc, VCE = 10Vdc  
hFE  
200  
IC = 3.0mAdc, VCE = 1.0Vdc; TA = -55°C  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
IC = 10mAdc, IB = 1.0mAdc  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
0.4  
1.0  
Vdc  
Vdc  
Base-Emitter Voltage  
IC = 10mAdc, IB = 1.0mAdc  
T4-LDS-0010 Rev. 3 (101342)  
Page 1 of 4  
1234

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JANTX2N918 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BFS17P INFINEON

功能相似

 NPN Silicon RF Transistor (For broadband amplifiers up to 1GHz at collector currents from
BFR93AW INFINEON

功能相似

 NPN Silicon RF Transistor (For low distortion broadband amplifiers and oscillators up to 2

与JANTX2N918相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTX2N918UB MICROSEMI

获取价格

 		NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N930 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-18
JANTX2N930UB ETC

获取价格

 		BJT
JANTX3890AR MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 100V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
JANTX3891A MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
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 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon,
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 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon,

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