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JANTX2N930UB

更新时间： 2024-01-26 17:54:24
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
17页 96K
描述
BJT

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JANTX2N930UB 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-N3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.33Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.03 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：150
JESD-30 代码：R-XDSO-N3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：200 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.36 W认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500/253H子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

JANTX2N930UB 数据手册

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The documentation and process conversion  
measures necessary to comply with this revision  
shall be completed by 25 June 2002.  
INCH-POUND  
MIL-PRF-19500/253H  
25 March 2002  
SUPERSEDING  
MIL-PRF-19500/253G  
23 April 2001  
PERFORMANCE SPECIFICATION  
SEMICONDUCTOR DEVICE, TRANSISTOR, NPN, SILICON, LOW-POWER  
TYPES 2N930 AND 2N930UB JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC AND JANKC  
This specification is approved for use by all Departments  
and Agencies of the Department of Defense.  
1. SCOPE  
1.1 Scope. This specification covers the performance requirements for NPN silicon, low-power transistors. Four  
levels of product assurance are provided for each device type as specified in MIL-PRF-19500. Two levels of product  
assurance are provided for die.  
1.2 Physical dimensions. See figure 1 (TO-18), figure 2 (UB, surface mount), and figures 3 and 4 (die).  
* 1.3 Maximum ratings. Unless otherwise specified, T = +25°C.  
C
P
(1)  
V
V
V
I
T and T  
J STG  
T
CBO  
CEO  
EBO  
C
R
R
qJA  
qJC  
T
= +25°C  
A
mW  
360  
V dc  
60  
V dc  
45  
V dc  
6
mA dc  
30  
°C  
°C/W  
°C/W  
-65 to +200  
97  
485  
(1) Derate linearly at 2.06 mW/°C above T = +25°C.  
A
1.4 Primary electrical characteristics.  
h
(1)  
h
(1)  
C
|h  
|
V
(1)  
V
(1)  
FE1  
FE2  
obo  
fe  
BE(SAT)  
CE(SAT)  
Limits  
V
= 5 V dc  
V
C
= 5 V dc  
V
= 5 V dc  
V
C
= 5 V dc  
I
= 10 mA dc  
I = 0.5 mA dc  
B
I
= 10 mA dc  
= 0.5 mA dc  
CE  
CE  
CB  
I
CE  
= 500 µA dc  
C
C
B
I
= 10 µA dc  
I
= 500 µA dc  
= 0  
I
I
C
E
f = 30 MHz  
100 kHz £ f £ 1 MHz  
pF  
V dc  
V dc  
1.0  
Min  
Max  
100  
300  
150  
1.5  
6.0  
0.6  
1.0  
8.0  
(1) Pulsed (see 4.5.1).  
Beneficial comments (recommendations, additions, deletions) and any pertinent data which may be of use in  
improving this document should be addressed to: Defense Supply Center, Columbus, ATTN: DSCC/VAC, Post  
Office Box 3990, Columbus, OH 43216-5000, by using the Standardization Document Improvement Proposal (DD  
Form 1426) appearing at the end of this document or by letter.  
AMSC N/A  
FSC 5961  
DISTRIBUTION STATEMENT A. Approved for public release; distribution is unlimited.  
1234567...17

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与JANTX2N930UB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTX3890AR MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 100V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
JANTX3891A MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
JANTX3FF15 SEMTECH

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