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2N7389

更新时间： 2024-11-07 21:17:35

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	377K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, MODIFIED TO-39, 3 PIN

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2N7389 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BCY
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.66	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	6.5 A	最大漏源导通电阻：	0.35 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-205AF
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N7389 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

RADIATION HARDENED P-CHANNEL MOSFET

Qualified per MIL-PRF-19500/630

DEVICES

LEVELS

JANSR(100K RAD(Si))

JANSF(300K RAD(Si))

2N7389

2N7389U

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Drain – Source Voltage

Symbol

V_DS

Value

-100

Unit

Vdc

Gate – Source Voltage

V_GS

± 20

Continuous Drain Current

I_D1

I_D2

-6.5

Adc

T_C= +25°C

Continuous Drain Current

-4.1

T_C= +100°C

Max. Power Dissipation

P_tl

25 ⁽¹⁾

0.3 ⁽²⁾

Drain to Source On State Resistance

Operating & Storage Temperature

R_ds(on)

T_op, T_stg

-55 to +150

°C

TO-205AF

(modified TO-39)

JANSR2N7389, JANSF2N7389

See Figure 1

Note: (1) Derated Linearly by 0.2 W/°C for T_C> +25°C

(2) V_GS= -12Vdc, I_D= -4.1A

PRE-IRRADIATION ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise

noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Min.

Max.

Unit

Drain-Source Breakdown Voltage

V_(BR)DSS

-100

Vdc

V_GS= 0V, I_D= -1mAdc

Gate-Source Voltage (Threshold)

V_DS≥ V_GS, I_D= -1.0mA

V_DS≥ V_GS, I_D= -1.0mA, T_j= +125°C

V_GS(th)1

V_GS(th)2

V_GS(th)3

-2.0

-1.0

-4.0

-5.0

Vdc

V_DS≥ V_GS, I_D= -1.0mA, T_j= -55°C

Gate Current

_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_GS= ±20V, V_DS= 0V, T_j= +125°C

I_GSS1

I_GSS2

±100

±200

nAdc

Drain Current

V_GS= 0V, V_DS= -80V

18 PIN LEADLESS CHIP

CARRIER

JANSR2N7389U, JANSF2N7389U

See Figure 2

I_DSS1

I_DSS2

-25

-0.25

µAdc

mAdc

V_GS= 0V, V_DS= -80V, T_j= +125°C

Static Drain-Source On-State Resistance

V_GS= -12V, I_D= -4.1A pulsed

r_DS(on)1

r_DS(on)2

0.3

0.35

_GS= -12V, I_D= -6.5A pulsed

T_j= +125°C

_GS= -12V, I_D= -4.1A pulsed

r_DS(on)3

0.54

-3.0

Diode Forward Voltage

_GS= 0V, I_D= -6.5A pulsed

V_SD

Vdc

T4-LDS-0126 Rev. 1 (091145)

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12 3 4 5

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与2N7389相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N7389U	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
2N739	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-18
2N7394	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2N7394U	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2N7395	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-205AF
2N7398	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| TO-205AF
2N740	NJSEMI	获取价格	SI NPN LO-PWR BJT
2N7400	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-257AA
2N7401	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 250V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| TO-257AA
2N7402	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-257AA

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