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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | BCY |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.55 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 18 |
| JEDEC-95代码： | TO-18 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2N759A | MICROSEMI |
完全替代  |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, |
|
| BC109LEADFREE | CENTRAL |
功能相似 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N757AJ | RAYTHEON |
获取价格 |
Transistor, |
|
| 2N7580T1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| 2N759A | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, |
|
| 2N759AJ | RAYTHEON |
获取价格 |
Transistor, |
|
| 2N760 | MICRO-ELECTRONICS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18 |
|
| 2N7604U2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| 2N7607T3 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| 2N7608T2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| 2N7609U8 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| 2N760A | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Transistors |
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