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2N7635M1 PDF预览

2N7635M1

更新时间： 2024-11-28 19:44:27
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
16页 300K
描述
Transistor,

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2N7635M1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.92
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.07 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1 W
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
Base Number Matches：1

2N7635M1 数据手册

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PRELIMINARY  
PD-97191B  
2N7635M1  
IRHLG7670Z4  
60V, Combination 2N-2P-CHANNEL  
TECHNOLOGY  
RADIATION HARDENED  
LOGIC LEVEL POWER MOSFET  
THRU-HOLE (MO-036AB)  
™
Product Summary  
Part Number  
Radiation Level  
CHANNEL  
R
I
D
DS(on)  
1.07A  
-0.71A  
1.07A  
-0.71A  
0.6Ω  
1.25Ω  
0.6Ω  
N
P
N
P
IRHLG7670Z4  
100K Rads (Si)  
IRHLG7630Z4  
300K Rads (Si)  
1.25Ω  
MO-036AB  
International Rectifier’s R7TM Logic Level Power  
MOSFETs provide simple solution to interfacing  
CMOS and TTL control circuits to power devices in  
space and other radiation environments. The  
threshold voltage remains within acceptable  
operating limits over the full operating temperature  
and post radiation. This is achieved while maintaining  
single event gate rupture and single event burnout  
immunity.  
Features:  
n
5V CMOS and TTL Compatible  
n
n
n
n
n
n
n
n
Low RDS(on)  
Fast Switching  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Light Weight  
These devices are used in applications such as  
current boost low signal source in PWM, voltage  
comparator and operational amplifiers.  
Pre-Irradiation  
Absolute Maximum Ratings (Per Die)  
Parameter  
N-Channel  
1.07  
P-Channel  
-0.71  
-0.45  
-2.84  
1.0  
Units  
I @ V  
= ±4.5V, T = 25°C Continuous Drain Current  
D
GS  
GS  
C
A
I @ V  
D
= ±4.5V, T =100°C Continuous Drain Current  
0.67  
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
4.28  
DM  
@ T = 25°C  
P
D
1.0  
W
W/°C  
V
C
0.01  
0.01  
V
±10  
±10  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy  
Avalanche Current À  
13 Á  
1.07  
21 ²  
-0.71  
0.1  
mJ  
A
AS  
I
AR  
E
AR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Operating Junction  
0.1  
mJ  
V/ns  
7.0 Â  
-14 ³  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.63 in./1.6 mm from case for 10s)  
1.3 (Typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
03/01/11  
1234567...16

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