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2N784

更新时间: 2024-02-15 03:33:22
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其他 - ETC 晶体晶体管
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1页 45K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-18

2N784 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.39
集电极-发射极最大电压:15 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):25JEDEC-95代码:TO-18
JESD-30 代码:O-MBCY-W3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:MATTE TIN (315)
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):300 MHz
最大关闭时间(toff):40 ns最大开启时间(吨):20 ns
Base Number Matches:1

2N784 数据手册

  
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