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2N828

更新时间： 2024-01-28 05:49:57

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	350K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 15V V(BR)CEO \| 200MA I(C) \| TO-18

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2N828 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.65
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.2 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	25
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	100 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	标称过渡频率 (fT)：	300 MHz
Base Number Matches：	1

2N828 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N828A	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 6V V(BR)CEO \| 200MA I(C) \| TO-18	获取价格
2N829	ETC	silicon transistors UHF/VHF power transistors	获取价格
2N834	NJSEMI	NPN HIGH SPEED SATURATED LOGIC SWITCHES	获取价格
2N834A	CENTRAL	Small Signal Transistors	获取价格
2N834APBFREE	CENTRAL	暂无描述	获取价格
2N834ATIN/LEAD	CENTRAL	Small Signal Bipolar Transistor,	获取价格

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