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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N859 | NJSEMI |
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Silicon Precision Alloy Trnasistors (SPAT) |
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| 2N860 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-18 |
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| 2N861 | NJSEMI |
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Silicon Precision Alloy Trnasistors (SPAT) |
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| 2N862 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-18 |
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| 2N863 | NJSEMI |
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Silicon Precision Alloy Trnasistors (SPAT) |
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| 2N863 | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), PNP |
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| 2N864 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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| 2N865 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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| 2N865 | NJSEMI |
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Silicon Precision Alloy Trnasistors (SPAT) |
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| 2N869 | SEME-LAB |
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Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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