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2N877

更新时间: 2024-11-28 20:27:59
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SSDI 栅极
页数 文件大小 规格书
1页 49K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 0.5A I(T)RMS, 350mA I(T), 30V V(DRM), 30V V(RRM), 1 Element, TO-18, TO-18, 3 PIN

2N877 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.69
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:0.2 mA
最大直流栅极触发电压:0.8 V最大维持电流:5 mA
JEDEC-95代码:TO-18JESD-30 代码:O-MBCY-W3
最大漏电流:0.1 mA通态非重复峰值电流:20 A
元件数量:1端子数量:3
最大通态电流:350 A最高工作温度:100 °C
最低工作温度:-60 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
最大均方根通态电流:0.5 A断态重复峰值电压:30 V
重复峰值反向电压:30 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

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