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2N878

更新时间: 2024-11-28 20:27:59
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SSDI 栅极
页数 文件大小 规格书
1页 49K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 0.5A I(T)RMS, 350mA I(T), 60V V(DRM), 60V V(RRM), 1 Element, TO-18, TO-18, 3 PIN

2N878 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.68
Is Samacsys:N配置:SINGLE
最大直流栅极触发电流:0.2 mA最大直流栅极触发电压:0.8 V
最大维持电流:1 mAJEDEC-95代码:TO-18
JESD-30 代码:O-MBCY-W3最大漏电流:0.02 mA
通态非重复峰值电流:20 A元件数量:1
端子数量:3最大通态电流:350 A
最高工作温度:100 °C最低工作温度:-60 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL最大均方根通态电流:0.5 A
断态重复峰值电压:60 V重复峰值反向电压:60 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

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