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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.16 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 0.02 mA | JEDEC-95代码： | TO-18 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 0.8 A |
| 重复峰值反向电压： | 15 V | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN (315) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N884LEADFREE | CENTRAL | Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 15V V(RRM), 1 Element, TO-18 |
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| 2N885 | SSDI | Silicon Controlled Rectifier, 0.5A I(T)RMS, 350mA I(T), 30V V(DRM), 30V V(RRM), 1 Element, |
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| 2N885 | BOCA | SCRs (Silicon Controlled Rectifiers) |
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| 2N885 | CENTRAL | 0.8 to 110 Amperes RMS 15 to 1200 Volts |
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| 2N885 | NJSEMI | P-N-P-N PLANAR SILICON REVERSE-BLOKING TRIODE THYRISTORS |
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| 2N885A | NJSEMI | SCRs (Silicon Controlled Rectifiers) |
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