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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.69 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 0.02 mA | 最大直流栅极触发电压： | 0.6 V |
| 最大维持电流： | 1 mA | JEDEC-95代码： | TO-18 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 最大漏电流： | 0.02 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 20 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最大通态电流： | 350 A |
| 最高工作温度： | 100 °C | 最低工作温度： | -60 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 最大均方根通态电流： | 0.5 A |
| 断态重复峰值电压： | 60 V | 重复峰值反向电压： | 60 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N886A | NJSEMI |
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SCRs (Silicon Controlled Rectifiers) |
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| 2N886LEADFREE | CENTRAL |
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Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 60V V(RRM), 1 Element, TO-18 |
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| 2N887 | CENTRAL |
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0.8 to 110 Amperes RMS 15 to 1200 Volts |
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| 2N887 | NJSEMI |
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P-N-P-N PLANAR SILICON REVERSE-BLOKING TRIODE THYRISTORS |
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| 2N887 | SSDI |
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Silicon Controlled Rectifier, 1A I(T)RMS, 350mA I(T), 100V V(DRM), 1 Element, TO-5, TO-5, |
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| 2N887 | BOCA |
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SCRs (Silicon Controlled Rectifiers) |
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| 2N887A | NJSEMI |
获取价格 |
SCRs (Silicon Controlled Rectifiers) |
|
| 2N887LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 100V V(RRM), 1 Element, TO-18 |
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| 2N888 | SSDI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 0.5A I(T)RMS, 350mA I(T), 150V V(DRM), 150V V(RRM), 1 Elemen |
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| 2N888 | CENTRAL |
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0.8 to 110 Amperes RMS 15 to 1200 Volts |
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