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2N7628M1

更新时间： 2024-11-28 21:21:23

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	216K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.71A I(D), 60V, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-14

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2N7628M1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-14	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
配置：	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.71 A	最大漏极电流 (ID)：	0.71 A
最大漏源导通电阻：	1.25 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MO-036AB	JESD-30 代码：	R-CDIP-T14
湿度敏感等级：	1	元件数量：	4
端子数量：	14	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	225	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N7628M1 数据手册

PD-97200B

2N7628M1

IRHLG7970Z4

RADIATION HARDENED

LOGIC LEVEL POWER MOSFET

THRU-HOLE (MO-036AB)

60V, Quad P-CHANNEL

TECHNOLOGY

Product Summary

Part Number Radiation Level RDS(on) ID

IRHLG7970Z4 100K Rads (Si) 1.25Ω -0.71A

IRHLG7930Z4 300K Rads (Si) 1.25Ω -0.71A

MO-036AB

International Rectifier’s R7^TMLogic Level Power

MOSFETs provide simple solution to interfacing

CMOS and TTL control circuits to power devices in

space and other radiation environments. The

threshold voltage remains within acceptable operating

limits over the full operating temperature and post

radiation. This is achieved while maintaining single

event gate rupture and single event burnout immunity.

Features:

5V CMOS and TTL Compatible

Fast Switching

Single Event Effect (SEE) Hardened

Low Total Gate Charge

Simple Drive Requirements

Ease of Paralleling

Hermetically Sealed

Ceramic Package

Light Weight

Complimentary N-Channel Available -

IRHLG770Z4

These devices are used in applications such as

current boost low signal source in PWM, voltage

comparator and operational amplifiers.

Absolute Maximum Ratings (Per Die)

Pre-Irradiation

Parameter

Units

@ V

= -4.5V, T =25°C

Continuous Drain Current

-0.71

= -4.5V, T =100°C Continuous Drain Current

-0.45

-2.84

1.0

Pulsed Drain Current À

Max. Power Dissipation

Linear Derating Factor

@ T = 25°C

W/°C

0.01

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy Á

Avalanche Current À

±10

-0.71

0.1

dv/dt

Repetitive Avalanche Energy À

Peak Diode Recovery dv/dt Â

Operating Junction

V/ns

-14

-55 to 150

Storage Temperature Range

°C

STG

Lead Temperature

Weight

300 (0.63 in./1.6 mm from case for 10s)

1.3 (Typical)

For footnotes refer to the last page

www.irf.com

04/01/08

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2N7635M1	INFINEON	获取价格	Transistor,
2N764	ETC	获取价格	THYRISTOR\|GTO\|30V V(DRM)\|TO-18
2N765	ETC	获取价格	THYRISTOR\|GTO\|60V V(DRM)\|TO-18
2N766	ETC	获取价格	THYRISTOR\|GTO\|100V V(DRM)\|TO-18
2N767	ETC	获取价格	THYRISTOR\|GTO\|200V V(DRM)\|TO-18
2N771	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 15V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-18
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