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2N7630M2

更新时间： 2024-09-17 14:51:15

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英飞凌 - INFINEON		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	223K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.56A I(D), 60V, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, FLAT PACK-14

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2N7630M2 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	HERMETIC SEALED, FLAT PACK-14	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.38
Is Samacsys：	N	配置：	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.56 A
最大漏极电流 (ID)：	0.56 A	最大漏源导通电阻：	1.36 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-XDSO-F14
JESD-609代码：	e0	元件数量：	4
端子数量：	14	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.6 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N7630M2 数据手册

PD-97306

2N7630M2

IRHLA7970Z4

RADIATION HARDENED

LOGIC LEVEL POWER MOSFET

THRU-HOLE (14-LEAD FLAT PACK)

60V, Quad P-CHANNEL

TECHNOLOGY

Product Summary

Part Number Radiation Level RDS(on) ID

IRHLA7970Z4 100K Rads (Si) 1.36Ω -0.56A

IRHLA7930Z4 300K Rads (Si) 1.36Ω -0.56A

14-Lead Flat Pack

International Rectifier’s R7^TMLogic Level Power

MOSFETs provide simple solution to interfacing

CMOS and TTL control circuits to power devices in

space and other radiation environments. The

threshold voltage remains within acceptable operating

limits over the full operating temperature and post

radiation. This is achieved while maintaining single

event gate rupture and single event burnout immunity.

Features:

5V CMOS and TTL Compatible

Low RDS(on)

Fast Switching

Single Event Effect (SEE) Hardened

Low Total Gate Charge

Simple Drive Requirements

Ease of Paralleling

Hermetically Sealed

Light Weight

Complimentary N-Channel Available -

IRHLA770Z4

These devices are used in applications such as

current boost low signal source in PWM, voltage

comparator and operational amplifiers.

Absolute Maximum Ratings (Per Die)

Pre-Irradiation

Parameter

Units

@ V

= -4.5V, T =25°C

Continuous Drain Current

-0.56

= -4.5V, T =100°C Continuous Drain Current

-0.35

-2.24

0.6

Pulsed Drain Current À

Max. Power Dissipation

Linear Derating Factor

@ T = 25°C

W/°C

0.005

±10

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy Á

Avalanche Current À

-0.56

0.06

dv/dt

Repetitive Avalanche Energy À

Peak Diode Recovery dv/dt Â

Operating Junction

V/ns

-5.79

-55 to 150

Storage Temperature Range

°C

STG

Lead Temperature

Weight

300 (0.63 in./1.6 mm from case for 10s)

0.52 (Typical)

For footnotes refer to the last page

www.irf.com

03/17/08

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N7632UC	INFINEON	获取价格	RADIATION HARDENED60V, Combination 1N-1P-CHANNELLOGIC LEVEL POWER MOSFET
2N7635M1	INFINEON	获取价格	Transistor,
2N764	ETC	获取价格	THYRISTOR\|GTO\|30V V(DRM)\|TO-18
2N765	ETC	获取价格	THYRISTOR\|GTO\|60V V(DRM)\|TO-18
2N766	ETC	获取价格	THYRISTOR\|GTO\|100V V(DRM)\|TO-18
2N767	ETC	获取价格	THYRISTOR\|GTO\|200V V(DRM)\|TO-18
2N771	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 15V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-18
2N772	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 25V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-18
2N774	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 15V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-18
2N775	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 15V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-18

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