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2N7627UC

更新时间： 2024-11-04 21:17:43

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	204K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.65A I(D), 60V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-6

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2N7627UC 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-XDSO-N6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.4	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.65 A
最大漏源导通电阻：	1.6 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-XDSO-N6	元件数量：	2
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N7627UC 数据手册

PD-97574

2N7627UC

IRHLUC7970Z4

RADIATION HARDENED

LOGIC LEVEL POWER MOSFET

SURFACE MOUNT (LCC-6)

60V, DUAL P-CHANNEL

TECHNOLOGY

Product Summary

Part Number

Radiation Level RDS(on)

IRHLUC7970Z4 100K Rads (Si) 1.60Ω -0.65A

IRHLUC7930Z4 300K Rads (Si) 1.60Ω -0.65A

LCC-6

International Rectifier’s R7^TMLogic Level Power MOSFETs

provide simple solution to interfacing CMOS and TTL control

circuits to power devices in space and other radiation

environments.The threshold voltage remains within

acceptable operating limits over the full operating

temperature and post radiation.This is achieved while

maintaining single event gate rupture and single event

burnout immunity.

Features:

5V CMOS and TTL Compatible

Low RDS(on)

Fast Switching

Single Event Effect (SEE) Hardened

Low Total Gate Charge

Simple Drive Requirements

Ease of Paralleling

The device is ideal when used to interface directly with most

logic gates, linear IC’s, micro-controllers, and other device

types that operate from a 3.3-5V source. It may also be

used to increase the output current of a PWM, voltage

comparator or an operational amplifier where the logic level

drive signal is available.

Hermetically Sealed

Light Weight

Complimentary N-Channel Available -

IRHLUC770Z4

Absolute Maximum Ratings (Per Die)

Pre-Irradiation

Parameter

Units

@ V

= -4.5V, T = 25°C Continuous Drain Current

-0.65

= -4.5V,T = 100°C Continuous Drain Current

-0.41

-2.6

Pulsed Drain Current À

Max. Power Dissipation

Linear Derating Factor

@ T = 25°C

1.0

W/°C

0.01

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy Á

Avalanche Current À

±10

-0.65

0.1

dv/dt

Repetitive Avalanche Energy À

Peak Diode Recovery dv/dt Â

Operating Junction

V/ns

-5.6

-55 to 150

°C

Storage Temperature Range

STG

Pckg. Mounting SurfaceTemp

Weight

300 (for 5s)

0.2 (Typical)

For footnotes refer to the last page

www.irf.com

10/11/10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N7628M1	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.71A I(D), 60V, 4-Element, P-Channel, Silicon, Meta
2N7630M2	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.56A I(D), 60V, 4-Element, P-Channel, Silicon, Meta
2N7632UC	INFINEON	获取价格	RADIATION HARDENED60V, Combination 1N-1P-CHANNELLOGIC LEVEL POWER MOSFET
2N7635M1	INFINEON	获取价格	Transistor,
2N764	ETC	获取价格	THYRISTOR\|GTO\|30V V(DRM)\|TO-18
2N765	ETC	获取价格	THYRISTOR\|GTO\|60V V(DRM)\|TO-18
2N766	ETC	获取价格	THYRISTOR\|GTO\|100V V(DRM)\|TO-18
2N767	ETC	获取价格	THYRISTOR\|GTO\|200V V(DRM)\|TO-18
2N771	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 15V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-18
2N772	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 25V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-18

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