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2N760B

更新时间： 2024-01-14 18:25:41

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	142K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-18

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2N760B 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	50	最高工作温度：	200 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

2N760B 数据手册

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与2N760B相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N7610T2	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 250V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal	获取价格
2N7612M1	INFINEON	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 100V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格
2N7614M1	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 250V, 1.1ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
2N7617UC	INFINEON	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.89A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格
2N7618M1	INFINEON	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.07A I(D), 60V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格
2N7622U2	INFINEON	RADIATION HARDENED LOGIC LEVEL POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2)	获取价格

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