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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.38 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 29 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 250 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.3 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.3 A | 最大漏源导通电阻： | 1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-205AF |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 22.7 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 13.2 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N7612M1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 100V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2N7614M1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 250V, 1.1ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2N7617UC | INFINEON |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.89A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2N7618M1 | INFINEON |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1.07A I(D), 60V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2N7622U2 | INFINEON |
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RADIATION HARDENED LOGIC LEVEL POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2) |
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| 2N7624U3 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 60V, 0.072ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| 2N7625T3 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.074ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| 2N7627UC | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.65A I(D), 60V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| 2N7628M1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.71A I(D), 60V, 4-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| 2N7630M2 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.56A I(D), 60V, 4-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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