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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2N7622U2
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2N7622U2

更新时间： 2024-11-28 02:57:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 207K
描述
RADIATION HARDENED LOGIC LEVEL POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2)

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2N7622U2 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-2, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.38
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：1060 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：56 A
最大漏极电流 (ID)：56 A最大漏源导通电阻：0.015 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-CBCC-N3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：250 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：224 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2N7622U2 数据手册

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PD-97174A  
2N7622U2  
IRHLNA797064  
60V, P-CHANNEL  
RADIATION HARDENED  
LOGIC LEVEL POWER MOSFET  
SURFACE MOUNT (SMD-2)  
TECHNOLOGY  
™
Product Summary  
Part Number  
Radiation Level RDS(on)  
ID  
IRHLNA797064 100K Rads (Si)  
IRHLNA793064 300K Rads (Si)  
0.015Ω -56A*  
0.015Ω -56A*  
SMD-2  
International Rectifier’s R7TM Logic Level Power  
MOSFETs provide simple solution to interfacing  
CMOS and TTL control circuits to power devices in  
space and other radiation environments. The  
threshold voltage remains within acceptable  
operating limits over the full operating temperature  
and post radiation. This is achieved while maintaining  
single event gate rupture and single event burnout  
immunity.  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
5V CMOS and TTL Compatible  
Fast Switching  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Package  
Surface Mount  
These devices are used in applications such as  
current boost low signal source in PWM, voltage  
comparator and operational amplifiers.  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@V  
@V  
= -4.5V,T = 25°C Continuous Drain Current  
-56*  
-56*  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= -4.5V,T = 100°C Continuous Drain Current  
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
-224  
250  
DM  
@ T = 25°C  
P
D
W
W/°C  
V
C
2.0  
V
±10  
GS  
E
1060  
-56  
mJ  
A
AS  
I
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
25  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
-3.7  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
Pckg. Mounting Surface Temp.  
Weight  
°C  
g
STG  
300 (for 5s)  
3.3 (Typical)  
* Current is limited by package  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
06/11/07  
1234567...9

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与2N7622U2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N7624U3 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 60V, 0.072ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
2N7625T3 INFINEON

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2N7627UC INFINEON

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.65A I(D), 60V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
2N7628M1 INFINEON

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2N7632UC INFINEON

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 		RADIATION HARDENED60V, Combination 1N-1P-CHANNELLOGIC LEVEL POWER MOSFET
2N7635M1 INFINEON

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 		Transistor,
2N764 ETC

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 		THYRISTOR|GTO|30V V(DRM)|TO-18
2N765 ETC

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 		THYRISTOR|GTO|60V V(DRM)|TO-18
2N766 ETC

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 		THYRISTOR|GTO|100V V(DRM)|TO-18

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