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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.66 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 36 | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.5 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 标称过渡频率 (fT)： | 60 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N760 | MICRO-ELECTRONICS |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18 |
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| 2N7604U2 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2N7607T3 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2N7608T2 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2N7609U8 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| 2N760A | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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| 2N760ALEADFREE | CENTRAL |
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暂无描述 |
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| 2N760B | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18 |
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| 2N7610T2 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 250V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2N7612M1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 100V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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