5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2N7609U8
2N7609U8 PDF预览

2N7609U8

更新时间： 2024-11-28 20:04:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 173K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-0.2, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

2N7609U8 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：CHIP CARRIER, R-CBCC-N3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.34
雪崩能效等级（Eas）：21 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：6.5 A最大漏源导通电阻：0.29 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-CBCC-N3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：26 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2N7609U8 数据手册

 浏览型号2N7609U8的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N7609U8的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2N7609U8的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2N7609U8的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2N7609U8的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2N7609U8的Datasheet PDF文件第7页 
PD-97326B  
2N7609U8  
RADIATION HARDENED  
IRHLNM77110  
LOGIC LEVEL POWER MOSFET  
SURFACE MOUNT (SMD-0.2)  
100V, N-CHANNEL  
TECHNOLOGY  
™
Product Summary  
Part Number  
IRHLNM77110  
IRHLNM73110  
Radiation Level RDS(on)  
ID  
6.5A  
6.5A  
100K Rads (Si)  
300K Rads (Si)  
0.29Ω  
0.29Ω  
SMD-0.2  
International Rectifier’s R7TM Logic Level Power MOSFETs  
provide simple solution to interfacing CMOS and TTL control  
circuits to power devices in space and other radiation  
environments.The threshold voltage remains within  
acceptable operating limits over the full operating  
temperature and post radiation.This is achieved while  
maintaining single event gate rupture and single event  
burnout immunity.  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
5V CMOS and TTL Compatible  
Fast Switching  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
The device is ideal when used to interface directly with most  
logic gates, linear IC’s, micro-controllers, and other device  
types that operate from a 3.3-5V source. It may also be  
used to increase the output current of a PWM, voltage  
comparator or an operational amplifier where the logic level  
drive signal is available.  
Hermetically Sealed  
Ceramic Package  
Surface Mount  
Light Weight  
ESD Rating: Class 1A per MIL-STD-750,  
Method 1020  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@V  
@V  
= 4.5V,T = 25°C  
Continuous Drain Current  
6.5  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= 4.5V,T = 100°C Continuous Drain Current  
4.1  
26  
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
DM  
@ T = 25°C  
P
23.2  
0.18  
±10  
W
W/°C  
V
D
C
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
GS  
E
AS  
21  
mJ  
A
I
6.5  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
2.32  
4.3  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
T
-55 to 150  
J
°C  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
Pckg. Mounting Surface Temp.  
Weight  
300 (for 5s)  
0.25 (Typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
12/10/14  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

与2N7609U8相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N760A CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Transistors
2N760ALEADFREE CENTRAL

获取价格

 		暂无描述
2N760B ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18
2N7610T2 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 250V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2N7612M1 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 100V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2N7614M1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 250V, 1.1ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Met
2N7617UC INFINEON

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.89A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2N7618M1 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.07A I(D), 60V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2N7622U2 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED LOGIC LEVEL POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2)
2N7624U3 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 60V, 0.072ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

与2N7609U8相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证