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2N7609U8

更新时间： 2024-01-08 16:40:01
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 173K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-0.2, 3 PIN

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2N7609U8 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：CHIP CARRIER, R-CBCC-N3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.34
雪崩能效等级（Eas）：21 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：6.5 A最大漏源导通电阻：0.29 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-CBCC-N3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：26 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2N7609U8 数据手册

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PD-97326B  
2N7609U8  
RADIATION HARDENED  
IRHLNM77110  
LOGIC LEVEL POWER MOSFET  
SURFACE MOUNT (SMD-0.2)  
100V, N-CHANNEL  
TECHNOLOGY  
™
Product Summary  
Part Number  
IRHLNM77110  
IRHLNM73110  
Radiation Level RDS(on)  
ID  
6.5A  
6.5A  
100K Rads (Si)  
300K Rads (Si)  
0.29Ω  
0.29Ω  
SMD-0.2  
International Rectifier’s R7TM Logic Level Power MOSFETs  
provide simple solution to interfacing CMOS and TTL control  
circuits to power devices in space and other radiation  
environments.The threshold voltage remains within  
acceptable operating limits over the full operating  
temperature and post radiation.This is achieved while  
maintaining single event gate rupture and single event  
burnout immunity.  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
5V CMOS and TTL Compatible  
Fast Switching  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
The device is ideal when used to interface directly with most  
logic gates, linear IC’s, micro-controllers, and other device  
types that operate from a 3.3-5V source. It may also be  
used to increase the output current of a PWM, voltage  
comparator or an operational amplifier where the logic level  
drive signal is available.  
Hermetically Sealed  
Ceramic Package  
Surface Mount  
Light Weight  
ESD Rating: Class 1A per MIL-STD-750,  
Method 1020  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@V  
@V  
= 4.5V,T = 25°C  
Continuous Drain Current  
6.5  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= 4.5V,T = 100°C Continuous Drain Current  
4.1  
26  
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
DM  
@ T = 25°C  
P
23.2  
0.18  
±10  
W
W/°C  
V
D
C
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
GS  
E
AS  
21  
mJ  
A
I
6.5  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
2.32  
4.3  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
T
-55 to 150  
J
°C  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
Pckg. Mounting Surface Temp.  
Weight  
300 (for 5s)  
0.25 (Typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
12/10/14  
1234567...9

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