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2N7609U8

更新时间： 2024-01-19 19:20:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 173K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-0.2, 3 PIN

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2N7609U8 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：CHIP CARRIER, R-CBCC-N3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.34
雪崩能效等级（Eas）：21 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：6.5 A最大漏源导通电阻：0.29 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-CBCC-N3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：26 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2N7609U8 数据手册

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Radiation Characteristics  
IRHLNM77110, 2N7609U8  
International Rectifier Radiation Hardened MOSFETs are tested to verify their radiation hardness capability.  
The hardness assurance program at International Rectifier is comprised of two radiation environments.  
Every manufacturing lot is tested for total ionizing dose (per notes 5 and 6) using the TO-3 package. Both  
pre- and post-irradiation performance are tested and specified using the same drive circuitry and test  
conditions in order to provide a direct comparison.  
Table 1. Electrical Characteristics @ Tj = 25°C, Post Total Dose Irradiation ÄÅ  
Parameter  
Upto 300K Rads (Si)1 Units  
Test Conditions  
Min  
Max  
BV  
Drain-to-Source Breakdown Voltage  
Gate Threshold Voltage  
Gate-to-Source Leakage Forward  
Gate-to-Source Leakage Reverse  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Static Drain-to-Source „  
100  
1.0  
—
—
—
—
2.0  
100  
-100  
1.0  
V
= 0V, I = 250µA  
DSS  
GS D  
V
V
V
= V , I = 250µA  
GS(th)  
GS  
DS  
D
I
I
I
V
GS  
= 10V  
GSS  
GSS  
DSS  
nA  
µA  
V
GS  
= -10V  
V
= 80V, V =0V  
GS  
DS  
R
DS(on)  
On-State Resistance (TO-3)  
—
0.32  
Ω
V
GS  
= 4.5V, I = 4.1A  
D
R
DS(on)  
Static Drain-to-Source On-state „  
Resistance (SMD-0.2)  
—
—
0.29  
1.4  
Ω
V
= 4.5V, I = 4.1A  
D
GS  
V
Diode Forward Voltage„  
V
V
= 0V, I = 6.5A  
GS  
D
SD  
1. Part numbers IRHLNM77110, IRHLNM73110  
International Rectifier radiation hardened MOSFETs have been characterized in heavy ion environment for  
Single Event Effects (SEE). Single Event Effects characterization is illustrated in Fig. a and Table 2.  
Table 2. Typical Single Event Effect Safe Operating Area  
LET  
Energy  
Range  
VDS (V)  
(MeV/(mg/cm2))  
(MeV)  
(µm)  
@VGS=  
0V  
@VGS=  
-2V  
@VGS=  
-4V  
@VGS=  
-5V  
@VGS=  
-6V  
@VGS=  
-7V  
38 ± 5%  
62 ± 5%  
85 ± 5%  
300 ± 7.5%  
355 ± 7.5%  
380 ± 10%  
38 ± 7.5%  
33 ± 7.5%  
29 ± 7.5%  
100  
100  
100  
100  
100  
100  
100  
100  
100  
100  
100  
100  
100  
100  
-
100  
-
-
120  
100  
80  
60  
40  
20  
0
LET=38 ± 5%  
LET=62 ± 5%  
LET=85 ± 5%  
0
-1  
-2 -3  
-4 -5  
-6 -7  
VGS  
Fig a. Typical Single Event Effect, Safe Operating Area  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
3
1234567...9

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