5秒后页面跳转
2N760 PDF预览

2N760

更新时间: 2024-11-07 20:30:39
品牌 Logo 应用领域
MICRO-ELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
1页 58K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18

2N760 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.5
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.05 A
集电极-发射极最大电压:25 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40JEDEC-95代码:TO-18
JESD-30 代码:O-MBCY-W3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:200 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.5 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):70 MHzBase Number Matches:1

2N760 数据手册

  

与2N760相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N7604U2 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
2N7607T3 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
2N7608T2 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2N7609U8 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
2N760A CENTRAL

获取价格

Small Signal Transistors
2N760ALEADFREE CENTRAL

获取价格

暂无描述
2N760B ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18
2N7610T2 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 250V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2N7612M1 INFINEON

获取价格

Small Signal Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 100V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2N7614M1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 250V, 1.1ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Met