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| MICRO-ELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 1页 | 58K |  |
| 描述 | ||
| Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18 | ||
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.5 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 25 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JEDEC-95代码： | TO-18 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 70 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N7604U2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2N7607T3 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2N7608T2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2N7609U8 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| 2N760A | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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| 2N760ALEADFREE | CENTRAL |
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暂无描述 |
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| 2N760B | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18 |
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| 2N7610T2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 250V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2N7612M1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 100V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2N7614M1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 250V, 1.1ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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