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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N7394 | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2N7394U | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2N7395 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-205AF |
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| 2N7398 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-205AF |
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| 2N740 | NJSEMI |
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SI NPN LO-PWR BJT |
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| 2N7400 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-257AA |
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| 2N7401 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-257AA |
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| 2N7402 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-257AA |
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| 2N740A | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-18 |
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| 2N741 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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