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2N7394

更新时间： 2024-11-07 20:07:39

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	166K
描述
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254AA, 3 PIN

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2N7394 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-254AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.66	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	35 A	最大漏源导通电阻：	0.03 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-254AA
JESD-30 代码：	S-XSFM-P3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N7394 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http://www.microsemi.com

Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland

Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298

RADIATION HARDENED N-CHANNEL MOSFET

Qualified per MIL-PRF-19500/603

DEVICES

LEVELS

MSR (100K RAD(Si))

MSF (300K RAD(Si))

SPACE Equivalents

2N7394

2N7394U

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Drain – Source Voltage

Symbol

V_DS

Value

Unit

Vdc

Gate – Source Voltage

V_GS

± 20

Continuous Drain Current

I_D1

I_D2

35.0

Adc

T_C= +25°C

Continuous Drain Current

30.0

T_C= +100°C

TO-254AA

MSR2N7394, MSF2N7394

See Figure 1

Max. Power Dissipation

P_tl

150 ⁽¹⁾

0.027 ⁽²⁾

Drain to Source On State Resistance

Operating & Storage Temperature

R_ds(on)

T_op, T_stg

-55 to +150

°C

Note: (1) Derated Linearly by 1.2 W/°C for T_C> +25°C

(2) V_GS= 12Vdc, I_D= 30.0A

PRE-IRRADIATION ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise

noted)

Parameters / Test Conditions

OFF CHARACTERTICS

Drain-Source Breakdown Voltage

_GS= 0V, I_D= 1mAdc

Gate-Source Voltage (Threshold)

_DS≥ V_GS, I_D= 1.0mA

V_DS≥ V_GS, I_D= 1.0mA, T_j= +125°C

V_DS≥ V_GS, I_D= 1.0mA, T_j= -55°C

Gate Current

Symbol

Min.

Max.

Unit

V_(BR)DSS

Vdc

V_GS(th)1

V_GS(th)2

V_GS(th)3

2.0

1.0

4.0

5.0

U-PKG (SMD-1)

(TO-267AB)

MSR2N7394U, MSF2N7394U

See Figure 2

I_GSS1

I_GSS2

±100

±200

_GS= ±20V, V_DS= 0V

nAdc

V_GS= ±20V, V_DS= 0V, T_j= +125°C

Drain Current

1.0

0.25

µAdc

mAdc

_GS= 0V, V_DS= 48V

V_GS= 0V, V_DS= 60V, T_j= +125°C

_GS= 0V, V_DS= 48V, T_j= +125°C

Static Drain-Source On-State Resistance

I_DSS1

I_DSS2

I_DSS3

_GS= 12V, I_D= 30.0A pulsed

_GS= 12V, I_D= 35.0A pulsed

r_DS(on)1

r_DS(on)2

0.027

0.030

T_j= +125°C

V_GS= 12V, I_D= 30.0A pulsed

r_DS(on)3

V_SD

0.060

1.4

Diode Forward Voltage

V_GS= 0V, I_D= 35.0A pulsed

Vdc

T4-LDS-0189 Rev. 1 (101987)

Page 1 of 5

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N7394U	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2N7395	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-205AF
2N7398	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| TO-205AF
2N740	NJSEMI	获取价格	SI NPN LO-PWR BJT
2N7400	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-257AA
2N7401	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 250V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| TO-257AA
2N7402	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-257AA
2N740A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-18
2N741	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 15V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-18
2N741A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-18

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