2N7371

更新时间： 2024-10-27 21:53:27

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管局域网高功率电源
页数	文件大小	规格书
2页	52K
描述
PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

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2N7371 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-254AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.23	最大集电极电流 (IC)：	12 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	150	JEDEC-95代码：	TO-254AA
JESD-30 代码：	R-MSFM-P3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	10 MHz
Base Number Matches：	1

2N7371 数据手册

TECHNICAL DATA

PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 623

Devices

Qualified Level

JAN, JANTX

JANTXV

2N7371

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Base Current

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_B

Value

100

5.0

Units

Vdc

Adc

0.2

Collector Current

Total Power Dissipation @ T_C= +25⁰C ⁽¹⁾

I_C

100

P_T

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +175

⁰C

T_J_,T

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Max.

Unit

⁰C/W

TO-254AA*

Thermal Resistance, Junction-to-Case

1) Derate linearly 0.667 W/⁰C above T_C> +25⁰C

1.5

qJC

*See Appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 100 mAdc

100

Vdc

V_{CEO sus}

(

)

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 50 Vdc

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 100 Vdc, V_BE= 1.5 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 5.0 Vdc

1.0

0.5

2.0

mAdc

I_CEO

I_CEX

I_EBO

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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2N7371 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTX2N7371	MICROSEMI	类似代替	PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N7371	MICROSEMI	类似代替	PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N7371	MICROSEMI	功能相似	PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N7371E3	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor
2N7372	MICROSEMI	获取价格	Complimentary Power Transistors in Hermetic Isolated TO-254AA Packages
2N7372_1	MICROSEMI	获取价格	PNP POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR
2N7373	MICROSEMI	获取价格	Complimentary Power Transistors in Hermetic Isolated TO-254AA Packages
2N7373_1	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR
2N7374	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-257, Metal,
2N7374E3	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-257, Metal,
2N7375	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-257, Metal,
2N7375E3	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-257, Metal,
2N7376	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254, Metal,

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