JANTXV2N7371

更新时间： 2024-09-22 21:53:27

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网高功率电源
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2页	52K
描述
PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

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JANTXV2N7371 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-254AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.24	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	12 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	150	JEDEC-95代码：	TO-254AA
JESD-30 代码：	S-MSFM-P3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500/623B
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

JANTXV2N7371 数据手册

TECHNICAL DATA

PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 623

Devices

Qualified Level

JAN, JANTX

JANTXV

2N7371

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Base Current

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_B

Value

100

5.0

Units

Vdc

Adc

0.2

Collector Current

Total Power Dissipation @ T_C= +25⁰C ⁽¹⁾

I_C

100

P_T

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +175

⁰C

T_J_,T

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Max.

Unit

⁰C/W

TO-254AA*

Thermal Resistance, Junction-to-Case

1) Derate linearly 0.667 W/⁰C above T_C> +25⁰C

1.5

qJC

*See Appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 100 mAdc

100

Vdc

V_{CEO sus}

(

)

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 50 Vdc

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 100 Vdc, V_BE= 1.5 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 5.0 Vdc

1.0

0.5

2.0

mAdc

I_CEO

I_CEX

I_EBO

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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JANTXV2N7371 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JAN2N7371	MICROSEMI	完全替代	PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N7371	MICROSEMI	功能相似	PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
2N7371	MICROSEMI	功能相似	PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTXV2N7372	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-254AA, Metal,
JANTXV2N7373	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-254AA
JANTXV2N7434	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide
JANTXV2N918	MOTOROLA	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic
JANTXV2N918	MICROSEMI	获取价格	NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N918UB	MICROSEMI	获取价格	NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N930	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 45V V(BR)CEO \| 30MA I(C) \| TO-18
JANTXV2N930UB	ETC	获取价格	BJT
JANTXV3890A	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 100V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
JANTXV3890AR	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 100V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN

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