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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.74 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 12 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 150 | JEDEC-95代码： | TO-254AA |
| JESD-30 代码： | R-MSFM-P3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N7372 | MICROSEMI |
获取价格 |
Complimentary Power Transistors in Hermetic Isolated TO-254AA Packages |
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| 2N7372_1 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR |
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| 2N7373 | MICROSEMI |
获取价格 |
Complimentary Power Transistors in Hermetic Isolated TO-254AA Packages |
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| 2N7373_1 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR |
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| 2N7374 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-257, Metal, |
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| 2N7374E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-257, Metal, |
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| 2N7375 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-257, Metal, |
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| 2N7375E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-257, Metal, |
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| 2N7376 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254, Metal, |
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| 2N7377 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254, Metal, |
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