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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-254AA |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.26 | 最大集电极电流 (IC)： | 10 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JEDEC-95代码： | TO-254AA |
| JESD-30 代码： | S-MSFM-P3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 115 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N7368JAN | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
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| 2N7368JANTX | MICROSEMI |
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NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
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| 2N7368JANTXV | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
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| 2N7369 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
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| 2N7369JAN | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
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| 2N7369JANTX | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
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| 2N7369JANTXV | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
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| 2N736A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18 |
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| 2N736B | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18 |
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| 2N7370 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
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