2N7369JANTXV

更新时间： 2024-02-19 12:46:44

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管高功率电源
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描述
PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

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2N7369JANTXV 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.64	最大集电极电流 (IC)：	10 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-609代码：	e0	极性/信道类型：	PNP
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

2N7369JANTXV 数据手册

TECHNICAL DATA

PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 621

Devices

Qualified Level

JAN

2N7369

JANTX

JANTXV

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Collector-Emitter Voltage

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_B

Value

Units

Vdc

Adc

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Base Current

7.0

4.0

Collector Current

I_C

Total Power Dissipation

@ T_C= +25⁰C ⁽¹⁾

115

P_T

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +200

⁰C

T_J_,T

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Case

1) Derate linearly 0.657 W/⁰C for T_C> 25⁰C

TO-254*

Symbol

Max.

1.5

Unit

⁰C/W

qJC

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 0.2 Adc

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 70 Vdc

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 80 Vdc, V_BE= 1.5 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 7.0 Vdc

Vdc

V_{CEO sus}

(

I_CES

I_CEX

I_EBO

)

5.0

mAdc

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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