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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2N7336PBF
2N7336PBF PDF预览

2N7336PBF

更新时间： 2024-02-10 11:14:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
12页 444K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.7ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB

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2N7336PBF 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：IN-LINE, R-CDIP-T14Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.73
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：75 mJ
配置：SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：1 A最大漏源导通电阻：0.8 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-CDIP-T14
元件数量：4端子数量：14
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：4 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2N7336PBF 数据手册

 浏览型号2N7336PBF的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2N7336PBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N7336PBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2N7336PBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2N7336PBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2N7336PBF的Datasheet PDF文件第7页 
IRFG6110  
Electrical Characteristics For Each P-Channel Device@ Tj = 25°C (Unless Otherwise Specified)  
Parameter  
Min Typ Max Units  
Test Conditions  
BV  
Drain-to-Source Breakdown Voltage  
-100  
—
—
V
V
= 0V, I = -1.0mA  
D
DSS  
GS  
V/°C Reference to 25°C, I = -1.0mA  
∆BV  
/∆T Temperature Coefficient of Breakdown  
—
-0.098  
—
DSS  
J
D
Voltage  
R
V
Static Drain-to-Source On-State  
Resistance  
Gate Threshold Voltage  
Forward Transconductance  
Zero Gate Voltage Drain Current  
—
—
-2.0  
0.67  
—
—
—
—
—
—
—
1.4  
1.73  
-4.0  
—
-25  
-250  
V
= -10V, I = -0.5A  
D
DS(on)  
GS  
Ã
Ω
V
GS  
= -10V, I = -0.75A  
D
V
S
V
= V , I = -250µA  
GS(th)  
fs  
DS  
GS  
D
g
V
> -15V, I  
= -0.5A Ã  
DS  
V
DS  
I
= -80V, V = 0V  
GS  
DSS  
DS  
µA  
—
V
= -80V,  
DS  
= 0V, T =125°C  
V
GS  
J
nA  
I
I
Gate-to-Source Leakage Forward  
Gate-to-Source Leakage Reverse  
Total Gate Charge  
Gate-to-Source Charge  
Gate-to-Drain (‘Miller’) Charge  
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
Total Inductance  
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
10  
-100  
100  
15  
7.0  
8.0  
30  
60  
70  
80  
—
V
= - 20V  
GSS  
GSS  
GS  
V
GS  
= 20V  
Q
Q
Q
V
= -10V, I = -0.75A,  
g
gs  
gd  
d(on)  
r
GS D  
nC  
ns  
V
= -50V  
DS  
t
t
t
t
V
DD  
V
= -50V, I = -0.75A,  
D
= -10V, R = 7.5Ω  
GS G  
d(off)  
f
Measured from drain lead (6mm/  
0.25in. from package) to source  
lead (6mm/0.25in. from package)  
L
S
+ L  
D
nH  
pF  
.
C
C
C
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
—
—
—
200  
85  
30  
—
—
—
V
= 0V, V  
= -25V  
f = 1.0MHz  
iss  
oss  
rss  
GS DS  
Source-Drain Diode Ratings and Characteristics (Per Die)  
Parameter  
Min Typ Max Units  
Test Conditions  
I
I
V
t
Q
Continuous Source Current (Body Diode)  
Pulse Source Current (Body Diode) À  
Diode Forward Voltage  
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
-0.75  
-3.0  
-5.5  
200  
9.0  
S
SM  
SD  
rr  
A
V
T = 25°C, I = -0.75A, V = 0V Ã  
GS  
j
S
nS T = 25°C, I = -0.75A, di/dt ≤ -100A/µs  
j
F
nC  
V
≤ -50V  
RR  
DD  
t
Forward Turn-On Time  
Intrinsic turn-on time is negligible. Turn-on speed is substantially controlled by L + L .  
on  
S
D
Thermal Resistance (Per Die)  
Parameter  
Min Typ Max Units  
Test Conditions  
R
R
Junction-to-Case  
Junction-to-Ambient  
—
—
—
—
17  
90  
thJC  
thJA  
°C/W  
Typical socket mount  
For footnotes, refer to the last page  
www.irf.com  
3
1234567...12

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