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2N7002KTB6

更新时间： 2024-01-11 17:47:19

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强茂 - PANJIT		晶体晶体管开关光电二极管
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5页	150K
描述
60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected

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2N7002KTB6 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.55	Is Samacsys：	N
其他特性：	ULTRA-LOW RESISTANCE	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.115 A
最大漏源导通电阻：	3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	5 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-F6
元件数量：	2	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N7002KTB6 数据手册

2N7002KTB6

60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected

SOT-563

FEATURES

• R_DS(ON), V_GS@10V,I_DS@500mA=3Ω

• R_DS(ON), V_GS@4.5V,I_DS@200mA=4Ω

• Advanced Trench Process Technology

• High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance

• Very Low Leakage Current In Off Condition

• Specially Designed for Battery Operated Systems, Solid-State Relays

Drivers : Relays, Displays, Lamps, Solenoids, Memories, etc.

• ESD Protected 2KV HBM

• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives

MECHANICALDATA

• Case: SOT-563 Package

• Terminals : Solderable per MIL-STD-750,Method 2026

• Marking : 27

Fig.56

Maximum RATINGS and Thermal Characteristics (T_A=25^OC unless otherwise noted )

PARAMETER

Symbol

V_DS

Limit

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

I_D

+20

115

800

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

I_DM

T_A=25^OC

T_A=75^OC

200

150

Maximum Power Dissipation

P_D

^OC

Operating Junction and Storage Temperature

Range

T_J,T_STG

R_θJA

-55 to + 150

883

Junction-to Ambient Thermal Resistance(PCB mounted)²

^OC/W

Note: 1. Maximum DC current limited by the package

2. Surface mounted on FR4 board, t < 5 sec

PAN JIT RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE

July 13.2010-REV.00

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