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2N7002KTB6

更新时间： 2024-01-21 11:41:13

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强茂 - PANJIT		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	150K
描述
60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected

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2N7002KTB6 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.55	Is Samacsys：	N
其他特性：	ULTRA-LOW RESISTANCE	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.115 A
最大漏源导通电阻：	3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	5 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-F6
元件数量：	2	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N7002KTB6 数据手册

2N7002KTB6

Typical Characteristics Curves (T_A=25^OC,unless otherwise noted)

1.2

DS=10V

V_GS= 6.0~10V

5.0V

4.0V

0.8

0.6

0.4

0.2

0.8

0.6

0.4

0.2

4.0V

=25℃

3.0V

V_GS- Gate-to-Source Voltage (V)

V_DS- Drain-to-Source Voltage (V)

FIG.2- Transfer Characteristic

FIG.1- Output Characteristic

V_GS= 4.5V

I_D=500mA

I_D=200mA

ID=200mA

GS=10V

0.2

0.4

0.6

0.8

V_GS- Gate-to-Source Voltage (V)

I_D- Drain Current (A)

FIG.3- OOnn RReessiissttaannccee vvss DDrraaiinn CCuurrrreenntt

FIG.4- On Resistance vs Gate to Source Voltage

1.8

V_GS=10V

I_D=500mA

1.6

1.4

1.2

0.8

0.6

-50 -25

75 100 125 150

T_J- Junction Temperature (^oC)

FIG.5- On Resistance vs Junction Temperature

July 13.2010-REV.00

PAGE . 3

1 234 5

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