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2N7002KTB6

更新时间： 2024-02-15 00:42:11

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强茂 - PANJIT		晶体晶体管开关光电二极管
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5页	150K
描述
60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected

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2N7002KTB6 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.55	Is Samacsys：	N
其他特性：	ULTRA-LOW RESISTANCE	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.115 A
最大漏源导通电阻：	3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	5 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-F6
元件数量：	2	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N7002KTB6 数据手册

2N7002KTB6

ELECTRICALCHARACTERISTICS

Parameter

Symbol

Test Condition

Min.

Typ.

Max.

Units

Static

Drain-Source Breakdown

Voltage

BV_DSS

V_GS(th)

R_DS(on)

I_DSS

V_GS=0V, I_D=10μA

V_DS=V_GS, I_D=250μA

V_GS=4.5V, I _D=200mA

V_GS=10V, I _D=500mA

V_DS=60V, V_GS=0V

2.5

4.0

3.0

Gate Threshold Voltage

Drain-Source On-State

Resistance

Drain-Source On-State

Resistance

Zero Gate Voltage Drain

Current

μA

Gate Body Leakage

Forward Transconductance

Dynamic

I_GSS

V_GS=+20V, V_DS=0V

V_DS=15V, I_D=250mA

+10

g_fS

100

V_DS=15V, I_D=200mA

V_GS=4.5V

Total Gate Charge

Q_g

0.8

Turn-On Delay Time

Turn-Off Delay Time

Input Capacitance

Output Capacitance

t_on

t_off

V_DD=30V , R_L=150Ω

I_D=200mA , V_GEN=10V

R_G=10Ω

C_iss

C_oss

C_rss

V_DS=25V, V_GS=0V

f=1.0MH_Z

Reverse Transfer

Capacitance

Source-Drain Diode

Diode Forward Voltage

V_SD

I_s

I_S=200mA , V_GS=0V

0.82

1.3

115

800

Continuous Diode Forward

Current

Pulsed Diode Forward

Current

I_sM

Switching

Gate Charge

Test Circuit

VGS

OUT

1mA

July 13.2010-REV.00

PAGE . 2

123 4 5

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