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2N7002KWF2

更新时间： 2024-01-28 14:45:45

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扬杰 - YANGJIE		开关光电二极管晶体管
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6页	617K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor,

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技术参数
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2N7002KWF2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.55	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.34 A
最大漏源导通电阻：	2.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N7002KWF2 数据手册

RoHS

COMPLIANT

2N7002KW

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary

● V_DS

60V

● I_D

340mA

● R_DS(ON)( at V_GS=10V)

● R_DS(ON)( at V_GS=4.5V)

＜2.5ohm

＜3.0ohm

● ESD Protected Up to 2.5KV (HBM)

General Description

● Trench Power MV MOSFET technology

● Voltage controlled small signal switch

● Low input Capacitance

● Fast Switching Speed

● Low Input / Output Leakage

Applications

● Battery operated systems

● Solid-state relays

● Direct logic-level interface：TTL/CMOS

Absolute Maximum Ratings (T =25℃unless otherwise noted)

■

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-source Voltage

Gate-source Voltage

Drain Current

V_DS

V_GS

±20

T_A=25℃ @ Steady State

T_A=70℃ @ Steady State

340

272

I_D

Pulsed Drain Current ^A

Total Power Dissipation @ T_A=25℃

I_DM

1.5

350

P_D

℃/ W

℃

Thermal Resistance Junction-to-Ambient @ Steady State ^B

Junction and Storage Temperature Range

R_θJA

357

T_J,T_STG

-55～+150

Ordering Information (Example)

■

PACKING

PREFERED P/N

MINIMUM

PACKAGE(pcs)

INNER BOX

QUANTITY(pcs)

OUTER CARTON

QUANTITY(pcs)

Marking

DELIVERY MODE

CODE

2N7002KW

72K.

3000

30000

120000

7“ reel

1 / 6

S-S1964

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.

www.21yangjie.com

Rev.2.0,25-Dec-18

12 3 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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