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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> 2N7002K-TP
2N7002K-TP PDF预览

2N7002K-TP

更新时间： 2024-11-18 13:04:07
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 169K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.34A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC PACKAGE-3

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2N7002K-TP 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：0.64
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：0.34 A
最大漏源导通电阻：5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：10 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2N7002K-TP 数据手册

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M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
2N7002  
Features  
x
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1  
Advanced Trench Process Technology  
High Input Impedance  
High Speed Switching  
CMOS Logic Compatible Input  
•
•
•
•
•
N-Channel MOSFET  
Marking : 7002/S72  
O
Maximum Ratings @ 25 C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
VDS  
ID  
PD  
Rating  
Drain-source Voltage  
Drain Current  
Total Power Dissipation  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Rating  
60  
115  
200  
625  
Unit  
V
mA  
mW  
R/W  
R
SOT-23  
A
D
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
R
E
JA  
3
TJ  
Operating Junction Temperature  
-55 to +150  
-55 to +150  
1.GATE  
TSTG  
Storage Temperature  
R
2. SOURCE  
3. DRAIN  
B
C
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
V(BR)DSS  
Parameter  
Drain-Source Breakdown Voltage  
(VGS=0Vdc, ID=10µAdc)  
Gate-Threshold Voltage  
(VDS=VGS, ID=250µAdc)  
Min  
Typ  
Max  
Units  
1
2
F
E
60  
---  
---  
Vdc  
Vtth(GS)  
IGSS  
1.0  
---  
---  
---  
2.5  
Vdc  
Gate-body Leakage  
H
G
ꢀ100  
1
500  
nAdc  
J
(VDS =0Vdc, VGS =ꢀ20Vdc)  
IDSS  
Zero Gate Voltage Drain Current  
(VDS =60Vdc, VGS =0Vdc)  
K
---  
---  
---  
---  
µAdc  
mAdc  
Ω
(VDS =60Vdc, VGS =0Vdc, Tj=125R)  
DIMENSIONS  
MM  
ID(ON)  
On-state Drain Current  
(VDS =7.5Vdc, VGS =10Vdc)  
Drain-Source On-Resistance  
(VGS=10Vdc, ID=500mAdc)  
(VGS=5Vdc, ID=50mAdc)  
Drain-Source On-Voltage  
(VGS=10Vdc, ID=500mAdc)  
(VGS=5Vdc, ID=50mAdc)  
Forward Transconductance  
(VDS=10Vdc, ID=200mAdc)  
Diode Forward Voltage  
(VGS=0Vdc, IS=115mAdc)  
Maximum Continuous Drain-Source  
Diode Forward Current  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
500  
2700  
---  
INCHES  
MIN  
DIM  
A
B
C
D
E
MAX  
.120  
.098  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.044  
.007  
.020  
MIN  
2.80  
2.10  
1.20  
.89  
1.78  
.45  
.013  
.89  
MAX  
3.04  
2.64  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
.100  
1.12  
.180  
.51  
NOTE  
rDS(on)  
.110  
.083  
.047  
.035  
.070  
.018  
.0005  
.035  
.003  
.015  
---  
---  
1.2  
1.7  
7.5  
7.5  
VDS(on)  
---  
---  
---  
---  
3.75  
1.5  
Vdc  
F
G
H
J
GFS  
VSD  
IS  
80  
---  
-
---  
---  
---  
---  
1.5  
115  
ms  
Vdc  
mA  
.085  
.37  
K
Suggested Solder  
Pad Layout  
Ciss  
COSS  
CrSS  
---  
---  
---  
---  
50  
25  
VDS=25Vdc,  
.031  
.800  
VGS =0Vdc  
pF  
Reverse Transfer  
Capacitance  
f=1MHz  
---  
---  
5
.035  
.900  
Switching  
.079  
2.000  
inches  
mm  
V
DD=30Vdc,  
td(on)  
td(off)  
Turn-on Time  
Turn-off Time  
---  
---  
---  
20  
20  
VGEN=10Vdc  
RL=150Ω,ID=200mA,  
RGEN=25Ω  
ns  
---  
.037  
.950  
.037  
.950  
www.mccsemi.com  
Revision: 4  
2008/01/01  
1 of 5  
12345

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与2N7002K-TP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N7002KU KEC

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 		N Channel MOSFET
2N7002KU GOOD-ARK

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 		60V N-Channel MOSFET
2N7002KU_15 GOOD-ARK

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 		60V N-Channel MOSFET
2N7002KV MCC

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 		Tape : 3K/Reel , 120K/Ctn;
2N7002KV RECTRON

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 		Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 0.3 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 1300 mOhms;Total Gate Charge (
2N7002KW PANJIT

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 		60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected
2N7002KW ONSEMI

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 		N沟道增强模型场效应晶体管
2N7002KW FAIRCHILD

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 		N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
2N7002KW SECOS

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 		N-Ch Small Signal MOSFET with ESD Protection
2N7002KW MCC

获取价格

 		Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;

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