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2N7002KW

更新时间： 2024-11-18 07:29:15
品牌 Logo 应用领域
SECOS 晶体晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
4页 527K
描述
N-Ch Small Signal MOSFET with ESD Protection

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2N7002KW 技术参数

生命周期：Contact ManufacturerReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.17配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：0.115 A
最大漏源导通电阻：3 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：5 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2N7002KW 数据手册

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2N7002KW  
115mA , 60V, RDS(ON) 4  
N-Ch Small Signal MOSFET with ESD Protection  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free  
FEATURES  
SOT-323  
RDS(ON), VGS@10V, IDS@500mA=3  
RDS(ON), VGS@4.5V, IDS@200mA=4  
A
Advanced Trench Process Technology  
L
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance  
Very Low Leakage Current In Off Condition  
Specially Designed for Battery Operated Systems,  
Solid-State Relays Drivers：Relays, Displays, Lamps,  
Solenoids, Memories, etc.  
3
3
Top View  
C B  
1
1
2
2
K
F
E
ESD Protected 2KV HBM  
In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives  
D
H
G
J
MECHANICAL DATA  
Case: SOT-323 Package  
Terminals: Solderable per MIL-STD-750,  
Method 2026  
Millimeter  
Min. Max.  
Millimeter  
REF.  
REF.  
Min.  
Max.  
0.100 REF.  
0.525 REF.  
A
B
C
D
E
F
1.80  
1.80  
1.15  
0.80  
1.20  
0.20  
2.20  
2.45  
1.35  
1.10  
1.40  
0.40  
G
H
J
K
L
0.08  
-
0.25  
-
MARKING  
0.650 TYP.  
K72  
Drain  
  
PACKAGE INFORMATION  
  
Gate  
Package  
MPQ  
LeaderSize  
SOT-323  
3K  
7’ inch  
  
Source  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
VGS  
ID  
60  
±20  
V
V
Continuous Drain Current  
Pulsed Drain Current 1  
115  
mA  
mA  
IDM  
800  
TA=25°C  
TA=75°C  
200  
Maximum Power Dissipation  
PD  
mW  
120  
Thermal Resistance Junction-Ambient (PCB mounted) 2  
625  
°C / W  
°C  
R  
JA  
Operating Junction and Storage Temperature  
TJ, TSTG  
-55~150  
Notes:  
1. Maximum DC current limited by the package.  
2. Surface mounted on FR4 board, t < 5sec.  
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changes of specification will not be informed individually.  
31-Mar-2011 Rev. A  
Page 1 of 4  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N7002KW_10 PANJIT

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 		60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected
2N7002KW_14 PANJIT

获取价格

 		60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected
2N7002KW_15 SECOS

获取价格

 		N-Ch Small Signal MOSFET with ESD Protection
2N7002KWA MCC

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 		Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
2N7002KW-AU PANJIT

获取价格

 		SOT-323
2N7002KWBQ MCC

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 		Tape&Reel:3Kpcs/Reel;
2N7002KWF2 YANGJIE

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor,
2N7002KWHE3 MCC

获取价格

 		Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
2N7002KWT1 WILLAS

获取价格

 		380mA N-channel Small Signal MOSFET-60V
2N7002KW-TP MCC

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.34A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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