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2N7002LT1

更新时间： 2024-02-17 12:09:06
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 98K
描述
CASE 318-08, STYLE 21 SOT-23 (TO-236AB)

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2N7002LT1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.05
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：0.25 A最大漏源导通电阻：4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2N7002LT1 数据手册

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by 2N7002LT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
3 DRAIN  
N–Channel Enhancement  
Motorola Preferred Device  
1
GATE  
3
2 SOURCE  
1
MAXIMUM RATINGS  
2
Rating  
Drain–Source Voltage  
Drain–Gate Voltage (R  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
V
DSS  
60  
60  
CASE 318–08, STYLE 21  
SOT–23 (TO–236AB)  
= 1.0 MΩ)  
V
DGR  
Vdc  
GS  
Drain Current — Continuous T = 25°C  
(1)  
(1)  
I
D
I
D
±115  
± 75  
±800  
mAdc  
C
C
Drain Current — Continuous T = 100°C  
(2)  
Drain Current — Pulsed  
I
DM  
Gate–Source Voltage  
— Continuous  
— Non–repetitive (t ≤ 50 µs)  
V
±20  
±40  
Vdc  
Vpk  
GS  
V
GSM  
p
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
(3)  
Total Device Dissipation FR–5 Board,  
Derate above 25°C  
T
A
= 25°C  
P
D
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
556  
300  
°C/W  
θJA  
P
mW  
D
(4)  
Alumina Substrate,  
Derate above 25°C  
T = 25°C  
A
2.4  
417  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
θJA  
T , T  
J
–55 to +150  
stg  
2N7002LT1 = 702  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Drain–Source Breakdown Voltage  
V
60  
—
—
Vdc  
(BR)DSS  
(V  
GS  
= 0, I = 10 µAdc)  
D
Zero Gate Voltage Drain Current  
(V = 0, V = 60 Vdc)  
T = 25°C  
T = 125°C  
J
I
—
—
—
—
1.0  
500  
µAdc  
nAdc  
nAdc  
J
DSS  
GS  
Gate–Body Leakage Current, Forward  
(V = 20 Vdc)  
DS  
I
—
—
100  
GSSF  
GS  
Gate–Body Leakage Current, Reverse  
(V = –20 Vdc)  
I
—
—
–100  
GSSR  
GS  
1. The Power Dissipation of the package may result in a lower continuous drain current.  
2. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 µs, Duty Cycle ≤ 2.0%.  
3. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
4. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.025 in 99.5% alumina.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 2  
Motorola, Inc. 1997  
123456

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