是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | HALOGEN FREE PACKAGE-3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.82 | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (ID): | 0.115 A |
最大漏源导通电阻: | 7.5 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 5 pF | JEDEC-95代码: | TO-236 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N7002LLK-AE2-R | UTC | 60V, 115mA N-CHANNEL POWER MOSFET |
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2N7002LT1 | ONSEMI | Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23 |
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2N7002LT1 | WILLAS | Small Signal MOSFET 115 mAmps, 60 Volts N–Cha |
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2N7002LT1 | MCC | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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2N7002LT1 | MOTOROLA | CASE 318-08, STYLE 21 SOT-23 (TO-236AB) |
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2N7002LT1 | TRSYS | N-CHANNEL ENHANCEMENT |
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