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2N7002DWL6327

更新时间： 2024-02-15 21:44:08
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 194K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-6

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2N7002DWL6327 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.17
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.3 A最大漏极电流 (ID)：0.3 A
最大漏源导通电阻：3 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：3 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2N7002DWL6327 数据手册

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2N7002DW  
OptiMOS™ Small-Signal-Transistor  
Features  
Product Summary  
V DS  
60  
3
V
• Dual N-channel  
R DS(on),max  
V GS=10 V  
V GS=4.5 V  
Ω
• Enhancement mode  
• Logic level  
4
• Avalanche rated  
I D  
0.3  
A
• Fast switching  
• Qualified according to AEC Q101  
PG-SOT363  
• 100% lead-free; RoHS compliant  
6
5
4
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
1
2
3
Type  
Package  
Tape and Reel Information  
Marking  
HalogenFree Packing  
Yes Non Dry  
2N7002DW PG-SOT363 H6327: 3000 pcs/reel  
X8s  
Parameter 1)  
Value  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T A=25 °C  
T A=70 °C  
Continuous drain current  
0.30  
0.24  
A
I D,pulse  
T A=25 °C  
Pulsed drain current  
1.2  
1.3  
E AS  
I D=0.3 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
I D=0.3 A, V DS=48 V,  
di /dt =200 A/µs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
V
T
j,max=150 °C  
V GS  
Gate source voltage  
±20  
ESD class  
JESD22-A114 (HBM)  
class 0 (<250V)  
0.5  
P tot  
T A=25 °C  
Power dissipation  
W
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
-55 ... 150  
55/150/56  
°C  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
1) Remark: one of both transistors in operation.  
Rev.2.2  
page 1  
2011-06-16  
1234567...9

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2N7002DWL6327 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N7002DWH6327 INFINEON

完全替代

 OptiMOS™ Small-Signal-Transistor
2N7002DW INFINEON

完全替代

 OptiMOS? Small-Signal-Transistor
2N7002DW-TP MCC

类似代替

 N-Channel MOSFET

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N7002DWL-AL6-R UTC

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2N7002DWQ DIODES

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 		DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
2N7002DW-Q UTC

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 		N-CH
2N7002DWQ-13-F DIODES

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2N7002DWQ-7-F DIODES

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2N7002DWS DIODES

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2N7002DWT/R13 PANJIT

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