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2N7002DWL6327

更新时间： 2024-01-30 06:51:48

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英飞凌 - INFINEON		局域网开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	194K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-6

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技术参数
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2N7002DWL6327 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.17
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.3 A	最大漏极电流 (ID)：	0.3 A
最大漏源导通电阻：	3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	3 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N7002DWL6327 数据手册

2N7002DW

Unit

Values

typ.

Parameter

Symbol Conditions

min.

max.

Dynamic characteristics

Input capacitance

Output capacitance

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

Rise time

C _iss

4.1

2.0

3.0

3.3

5.5

3.1

V _GS=0 V, V _DS=25 V,

f =1 MHz

C _oss

C_rss

t _d(on)

t _r

4.5

_DD=30 V, V _GS=10 V,

I _D=0.5 A, R _G=6 Ω

t _d(off)

t _f

Turn-off delay time

Fall time

Gate Charge Characteristics

Gate to source charge

Gate to drain charge

Gate charge total

Q _gs

0.05

0.2

0.4

4.0

0.1

0.4

0.6

Q _gd

_DD=48 V, I _D=0.5 A,

_GS=0 to 10 V

Q _g

V _plateau

Gate plateau voltage

Reverse Diode

I _S

Diode continous forward current

Diode pulse current

0.3

1.2

T _A=25 °C

I _S,pulse

V _GS=0 V, I _F=0.5 A,

T _j=25 °C

V _SD

Diode forward voltage

0.96

1.2

t _rr

Reverse recovery time

8.5

2.4

V _R=30 V, I _F=0.5 A,

di _F/dt =100 A/µs

Q _rr

Reverse recovery charge

Rev.2.2

page 3

2011-06-16

1 234 5 6 7...9

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