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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-204AA |
| 包装说明： | TO-3, 2 PIN | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.4 |
| Samacsys Confidence： | 4 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 2384177 | Samacsys Pin Count： | 4 |
| Samacsys Part Category： | Transistor BJT NPN | Samacsys Package Category： | Other |
| Samacsys Footprint Name： | 2N3055 | Samacsys Released Date： | 2019-10-15 20:15:56 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 16 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 |
| JEDEC-95代码： | TO-3 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 1 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5630 | NJSEMI |
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POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
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| 2N5630 | CENTRAL |
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COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
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| 2N5630 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device |
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| 2N5630 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5630 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N5630 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N5630 | ASI |
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Transistor |
|
| 2N5630E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 16A I(C), 120V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
|
| 2N5630PBFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, |
|
| 2N5631 | ONSEMI |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
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