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2N3866A

更新时间： 2024-11-09 07:28:31
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 523K
描述
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

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2N3866A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：End Of Life
零件包装代码：TO-39包装说明：HERMETIC SEALED PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.27
最大集电极电流 (IC)：0.4 A基于收集器的最大容量：3 pF
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：25最高频带：HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码：TO-39JESD-30 代码：O-MBCY-W3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：200 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：800 MHz

2N3866A 数据手册

 浏览型号2N3866A的Datasheet PDF文件第2页 
2N3866  
2N3866A  
www.centralsemi.com  
NPN SILICON  
HIGH FREQUENCY TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3866 and  
2N3866A are Silicon NPN RF Transistors, mounted  
in a hermetically sealed package, designed for high  
frequency amplifier and oscillator applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-39 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
55  
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
30  
3.5  
V
V
Continuous Collector Current  
Continuous Base Current  
I
0.4  
A
C
I
2.0  
A
B
Power Dissipation (T =25°C)  
C
P
5.0  
W
D
Operating and Storage Junction Temperature  
T , T  
-65 to +200  
35  
°C  
°C/W  
J
stg  
Thermal Resistance  
Θ
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
I
I
I
V
V
V
V
=28V  
20  
0.1  
5.0  
0.1  
μA  
CEO  
CEV  
CEV  
EBO  
CE  
CE  
CE  
EB  
=55V, V  
=30V, V  
=3.5V  
=1.5V  
mA  
mA  
mA  
V
BE(OFF)  
BE(OFF)  
=1.5V, T =200°C  
C
BV  
BV  
BV  
BV  
I =5.0mA, R =10Ω  
55  
55  
30  
3.5  
CER  
CBO  
CEO  
EBO  
CE(SAT)  
FE  
C
BE  
I =500μA  
V
C
I =5.0mA  
V
C
I =100μA  
V
E
V
I =100mA, I =20mA  
1.0  
200  
200  
V
C
B
h
h
h
V
=5.0V, I =50mA (2N3866)  
10  
25  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
CC  
CC  
C
V
V
V
V
V
V
V
=5.0V, I =50mA (2N3866A)  
FE  
C
=5.0V, I =360mA  
5.0  
500  
800  
FE  
C
f
f
=15V, I =50mA, f=200MHz (2N3866)  
MHz  
MHz  
pF  
T
C
=15V, I =50mA, f=200MHz (2N3866A)  
T
C
C
=28V, I =0, f=1.0MHz  
3.0  
10  
45  
ob  
E
G
=28V, P =1.0W, f=400MHz (Figure 1)  
dB  
PE  
out  
η
=28V, P =1.0W, f=400MHz (Figure 1)  
out  
%
R2 (15-September 2010)  
12

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2N3866A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTE311 NTE

功能相似

 Silicon NPN Transistor Frequency Multiplier, Driver, VHF/UHF
2N3866A SEMICOA

功能相似

 Type 2N3866A Geometry 1007 Polarity NPN

与2N3866A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N3866A_02 SEMICOA

获取价格

 		Silicon NPN Transistor
2N3866AUB SEMICOA

获取价格

 		Chip Type 2C3866A Geometry 1007 Polarity NPN
2N3866AUB MICROSEMI

获取价格

 		NPN SILICON HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR
2N3866AUB_02 SEMICOA

获取价格

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