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2N3866AUB

更新时间： 2024-11-23 22:49:23

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描述
Chip Type 2C3866A Geometry 1007 Polarity NPN

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2N3866AUB 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.02
最大集电极电流 (IC)：	0.4 A	基于收集器的最大容量：	3.5 pF
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-CDSO-N3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N3866AUB 数据手册

Data Sheet No. 2C3866A

Ge ne ric Pa c ka ge d Pa rts :

2N3866, 2N3866A

Chip Type 2C3866A

Geometry 1007

Polarity NPN

Chip type 2C3866A by Semicoa

Semiconductors provides perfor-

mance similar to these devices.

Product Summary:

APPLICATIONS: Designed for amplifier,

frequency multiplier and oscillator applica-

tions. Suitable for output, driver and predriver

stages in VHF and UHF equipment.

Part Numbers:

2N3866A, 2N3866, 2N3866AUB, SD3866A,

SD3866AF, SQ3866A, SQ3866AF

Features: Special Characteristics:

ft = 950 MHz (type) at 50 mA/15V

Mechanical Specifications

Top

Al - 15 kÅ min.

Au - 6.5 kÅ nom.

3.4 mils x 3.0 mils

Metallization

Backside

Emitter

Base

Bonding Pad Size

8 mils nominal

Die Thickness

Chip Area

15 mils x 20 mils

Silox Passivated

Top Surface

Electrical Characteristics

T_A= 25^oC

Parameter

BV_CEO

Test conditions

Min

Max

---

Unit

V dc

µA

I_C= 5.0 mA

BV_CBO

BV_CER

BV_EBO

I_CEO

I_C= 100 µA

---

I_C= 5.0 mA, R_BE= 10 Ohms

I_E= 100 µA

---

3.5

---

V_CE= 28 V, V_EB= 2.0 V

I_C= 360 mA dc, V_CE= 5.0 V

I_C= 50 mA dc, V_CE= 5.0 V

h_FE1

5.0

---

h_FE2

200

---

Due to limitations of probe testing, only dc parameters are tested. This must be done with pulse width less

than 300 µs, duty cycle less than 2%.

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