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| 生命周期： | Active | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.74 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 配置： | SINGLE |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | PNP | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3867_1 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR |
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| 2N3867PBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, |
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| 2N3867S | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N3867SMD05 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed |
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| 2N3868 | NJSEMI |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS PNP SILICON |
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| 2N3868 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N3868 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Transistors |
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| 2N3868S | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N3868S | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 60V 3A 3-Pin TO-39 |
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| 2N3868SMD | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed |
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