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| 生命周期： | Active | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.73 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | PNP |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3868S | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N3868S | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 60V 3A 3-Pin TO-39 |
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| 2N3868SMD | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed |
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| 2N3868SMD05 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed |
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| 2N3868V | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 60V 3A 3-Pin TO-39 |
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| 2N3870 | POWEREX |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 11000mA I(T), 100V V(DRM), |
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| 2N3870 | MOTOROLA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifiers(Reverse Blocking Triode Thyristors) |
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| 2N3870 | NJSEMI |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIERS |
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| 2N3871 | MOTOROLA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifiers(Reverse Blocking Triode Thyristors) |
|
| 2N3871 | POWEREX |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 11000mA I(T), 200V V(DRM), |
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