2N3872

更新时间： 2024-11-23 22:49:23

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		触发装置可控硅整流器
页数	文件大小	规格书
4页	273K
描述
Silicon Controlled Rectifiers(Reverse Blocking Triode Thyristors)

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N3872 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	PRESS FIT, O-MUPF-D2	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ANODE
标称电路换相断开时间：	25 µs	配置：	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：	50 V/us	最大直流栅极触发电流：	40 mA
最大直流栅极触发电压：	1.6 V	最大维持电流：	50 mA
JEDEC-95代码：	TO-203AA	JESD-30 代码：	O-MUPF-D2
JESD-609代码：	e0	最大漏电流：	3 mA
通态非重复峰值电流：	350 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最大通态电流：	11000 A
最高工作温度：	100 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	PRESS FIT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	35 A
重复峰值关态漏电流最大值：	10 µA	断态重复峰值电压：	400 V
重复峰值反向电压：	400 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	SOLDER LUG	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

12 3 4

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N3873	MOTOROLA	获取价格	Silicon Controlled Rectifiers(Reverse Blocking Triode Thyristors)
2N3873	NJSEMI	获取价格	SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
2N3873	POWEREX	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 11000mA I(T), 600V V(DRM),
2N3876	ETC	获取价格	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
2N3877	CDIL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, PLASTIC, TO-9
2N3877A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 85V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-92
2N3878	GE	获取价格	HIGH SPEED EPITAXIAL COLLECTOR SILICON NPN PLANAR TRANSISTORS
2N3879	SEME-LAB	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
2N3879	GE	获取价格	HIGH SPEED EPITAXIAL COLLECTOR SILICON NPN PLANAR TRANSISTORS
2N3879	NJSEMI	获取价格	SILICON N-P-N PLANAR TRANSISTOR