是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | PRESS FIT, O-MUPF-D2 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.30.00.80 |
风险等级: | 5.17 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | ANODE | 标称电路换相断开时间: | 25 µs |
配置: | SINGLE | 关态电压最小值的临界上升速率: | 50 V/us |
最大直流栅极触发电流: | 40 mA | 最大直流栅极触发电压: | 1.6 V |
最大维持电流: | 50 mA | JEDEC-95代码: | TO-203AA |
JESD-30 代码: | O-MUPF-D2 | JESD-609代码: | e0 |
最大漏电流: | 2 mA | 通态非重复峰值电流: | 350 A |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最大通态电流: | 11000 A | 最高工作温度: | 100 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | PRESS FIT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
最大均方根通态电流: | 35 A | 重复峰值关态漏电流最大值: | 10 µA |
断态重复峰值电压: | 100 V | 重复峰值反向电压: | 100 V |
子类别: | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | SOLDER LUG |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
触发设备类型: | SCR | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
MCR3835-2 | DIGITRON |
功能相似 |
Silicon Controlled Rectifier; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 50; Max TMS Bridge Inpu | |
NTE5517 | NTE |
功能相似 |
Silicon Controlled Rectifier (SCR) |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N3871 | MOTOROLA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifiers(Reverse Blocking Triode Thyristors) | |
2N3871 | POWEREX |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 11000mA I(T), 200V V(DRM), | |
2N3872 | MOTOROLA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifiers(Reverse Blocking Triode Thyristors) | |
2N3872 | POWEREX |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 11000mA I(T), 400V V(DRM), | |
2N3873 | MOTOROLA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifiers(Reverse Blocking Triode Thyristors) | |
2N3873 | NJSEMI |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIERS | |
2N3873 | POWEREX |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 11000mA I(T), 600V V(DRM), | |
2N3876 | ETC |
获取价格 |
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS | |
2N3877 | CDIL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, PLASTIC, TO-9 | |
2N3877A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 85V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92 |