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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.63 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N3878 | GE | HIGH SPEED EPITAXIAL COLLECTOR SILICON NPN PLANAR TRANSISTORS |
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| 2N3879 | SEME-LAB | NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| 2N3879 | GE | HIGH SPEED EPITAXIAL COLLECTOR SILICON NPN PLANAR TRANSISTORS |
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| 2N3879 | NJSEMI | SILICON N-P-N PLANAR TRANSISTOR |
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| 2N3879 | SAVANTIC | Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N3879 | ISC | Silicon NPN Power Transistors |
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