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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3878 | GE |
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HIGH SPEED EPITAXIAL COLLECTOR SILICON NPN PLANAR TRANSISTORS |
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| 2N3879 | SEME-LAB |
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NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| 2N3879 | GE |
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HIGH SPEED EPITAXIAL COLLECTOR SILICON NPN PLANAR TRANSISTORS |
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| 2N3879 | NJSEMI |
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SILICON N-P-N PLANAR TRANSISTOR |
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| 2N3879 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N3879 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N3879 | MICROSEMI |
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NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| 2N3879SMD | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed |
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| 2N3879SMD05 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed |
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| 2N388 | ETC |
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alloy-junction germanium transistors |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
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