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2N3879

更新时间： 2024-02-07 12:53:21

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	130K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N3879 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-276AB
包装说明：	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.08	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	7 A	集电极-发射极最大电压：	75 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	12
JEDEC-95代码：	TO-276AB	JESD-30 代码：	R-CBCC-N3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	40 MHz
Base Number Matches：	1

2N3879 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N3879

DESCRIPTION

·With TO-66 package

·Wide area of safe operation

·High sustaining voltage

APPLICATIONS

·For high-speed switching and linear-

amplifier applications

PINNING (See Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Collector

Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter sustaining voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

V_CBO

V_CEO(SUS)

V_EBO

I_C

120

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-Peak

Base current

I_B

P_T

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

200

-65~200

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

R_{th j-C}

Thermal resistance junction to case

5.0

℃/W

12 3

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